Elektronisten järjestelmien jatkuvasti rikkoessa tehotiheyden, pienentämisen ja lämpöominaisuuksien rajoja, alustamateriaalin valinnasta on tullut yksi tärkeimmistä tekijöistä piirilevysuunnittelussa. Sovelluksissa, joiden on toimittava äärimmäisissä olosuhteissa – olipa kyseessä sitten ilmailu, sähköautojen tehomoduulit tai lääketieteellinen elektroniikka – keraamiset piirilevyt tarjoavat ylivoimaisen vaihtoehdon perinteisille FR-4- tai metalliytimisille piirilevyille.
Jopa 220 W/m·K:n lämmönjohtavuudella (verrattuna FR-4:n 0,25 W/m·K:iin) ja käyttöluotettavuudella –55 °C:sta 800 °C:een keraamiset alustat tarjoavat vertaansa vailla olevaa suorituskykyä suuritehoisille, suurtaajuuksisille ja erittäin luotettaville elektroniikkalaitteille.
Kaikki keraamit eivät kuitenkaan ole samanlaisia. Kolmella pääasiallisesti käytetyllä materiaalilla – alumiinioksidilla (Al₂O₃), alumiininitridillä (AlN) ja piikarbidilla (SiC) – on kullakin ainutlaatuiset fysikaaliset, termiset ja sähköiset ominaisuudet, jotka vaikuttavat kustannuksiin, valmistettavuuteen ja suorituskykyyn.
Tässä oppaassa tutkimme, kuinka valita oikea materiaali keraamiseen piirilevysovellukseen ja mitä kompromisseja on otettava huomioon.
Keraamisilla alustoilla on kolme keskeistä tarkoitusta korkean suorituskyvyn piirilevysuunnittelussa:
Lämmönjohtavuus – Siirtää lämpöä tehokkaasti sähkölaitteista turvallisten käyttölämpötilojen ylläpitämiseksi.
Sähköeristys – Estää valokaaren tai vuodon suurjännite- ja suurtaajuuspiireissä.
Mekaaninen stabiilius – Tarjoaa jäykkyyttä, mittatarkkuutta ja kestävyyttä ympäristörasituksille.
Nämä ominaisuudet tekevät keraamisista piirilevyistä välttämättömiä esimerkiksi autoteollisuuden tehoelektroniikassa, uusiutuvan energian järjestelmissä, radiotaajuusviestinnässä ja lääketieteellisissä instrumenteissa.
Alumiinioksidi on piirilevyjen valmistuksessa eniten käytetty keraaminen substraatti. Se tarjoaa vahvan tasapainon kustannusten, mekaanisen lujuuden ja lämpöominaisuuksien välillä.
Tärkeimmät ominaisuudet:
Lämmönjohtavuus: 18–30 W/m·K
Dielektrisyysvakio: 9,8
Lämpölaajeneminen (CTE): 6–8 ppm/°C
Suurin käyttölämpötila: ~350 °C
Edut:
Erinomainen mekaaninen lujuus ja kovuus.
Vakaa sähköeristys.
Korkea kemikaalienkestävyys ja korroosiosuoja.
Kustannustehokas ja helposti saatavilla.
Sovellukset:
LED-valaistusmoduulit.
Anturi- ja ohjauspiirit.
Steriloinninkestävyyttä vaativat lääketieteelliset instrumentit.
Yleinen teollisuuselektroniikka.
Rajoitukset:
Vaikka Al₂O₃ on kestävä ja monipuolinen, sillä on suhteellisen alhainen lämmönjohtavuus verrattuna AlN:ään tai SiC:hen, mikä tekee siitä vähemmän sopivan äärimmäisiin lämpö- tai tehonkesto-sovelluksiin.
Alumiininitridistä (AlN) on nopeasti tullut ensisijainen materiaali suuritehoisiin ja korkeataajuisiin sovelluksiin. Se yhdistää erinomaisen sähköneristyksen ja jopa 220 W/m·K:n lämmönjohtavuuden, mikä lähestyy metallien tasoa säilyttäen samalla keraamien edut.
Tärkeimmät ominaisuudet:
Lämmönjohtavuus: 140–220 W/m·K
Dielektrisyysvakio: 8,8
Lämpölaajeneminen (CTE): 4,5 ppm/°C
Suurin käyttölämpötila: ~600 °C
Edut:
Erinomainen lämmönpoistokyky suurvirta- tai tiheyslaitteissa.
Pieni dielektrinen häviö ja korkea sähköinen resistiivisyys.
Lähes täydellinen CTE-vastaavuus piisirujen kanssa – lämpörasituksen minimoiminen.
Erinomainen mittapysyvyys ja luotettavuus.
Sovellukset:
Tehomoduulit ja muuntimet sähköajoneuvoissa ja teollisuuskäytöissä.
RF- ja mikroaaltopiirit 5G- ja satelliittijärjestelmiin.
LED-moduulit ja laserdiodit.
Korkean tarkkuuden instrumentointi.
Rajoitukset:
Korkeampi valmistuksen monimutkaisuus.
Hauraampi kuin Al₂O₃.
Sovelluksissa, joissa lämmönhallinta ja sähköinen suorituskyky ovat kriittisiä, AlN tarjoaa parhaan yhdistelmän luotettavuutta ja johtavuutta.
Piikarbidi (SiC) erottuu edukseen mekaanisen kestävyytensä, kemiallisen inerttiytensä ja korkean lämmönkestävyytensä ansiosta. Sitä käytetään vaativimmissakin ympäristöissä, kuten ilmailu- ja avaruustekniikassa, sotilasalalla ja tehopuolijohdepakkauksissa.
Tärkeimmät ominaisuudet:
Lämmönjohtavuus: 120–180 W/m·K
Dielektrisyysvakio: ~10
Lämpölaajeneminen (CTE): ~4 ppm/°C
Suurin käyttölämpötila: 800 °C+
Edut:
Poikkeuksellisen korkean lämpötilan kestävyys.
Korkea mekaaninen ja kemiallinen lujuus.
Ihanteellinen äärimmäisiin olosuhteisiin – tärinälle, säteilylle ja syövyttäville aineille.
Yhteensopiva laajan kaistanleveyden puolijohteiden (SiC, GaN) kanssa.
Sovellukset:
Ilmailu- ja puolustuselektroniikka.
Tehonmuuntimet uusiutuvan energian järjestelmiin.
Moottorin ja turbiinin valvonta-anturit.
Vaativiin olosuhteisiin soveltuvat teollisuusautomaatiojärjestelmät.
Rajoitukset:
Vaikea käsitellä kovuuden vuoksi.
Korkeammat kustannukset ja rajoitetumpi kaupallinen saatavuus verrattuna Al₂O₃:iin tai AlN:ään.
Kiinteistö | Al₂O₃ (alumiinioksidi) | AlN (alumiininitridi) | SiC (piikarbidi) |
Lämmönjohtavuus (W/m·K) | 18–30 | 140–220 | 120–180 |
Dielektrinen vakio | 9.8 | 8.8 | 10 |
CTE (ppm/°C) | 6–8 | 4.5 | 4.0 |
Maksimi käyttölämpötila (°C) | ~350 | ~600 | Yli 800 |
Mekaaninen lujuus | Erinomainen | Kohtalainen | Erinomainen |
Kustannustehokkuus | Korkea | Keskikokoinen | Matala |
Tyypilliset sovellukset | LEDit, anturit | Virtalähteet, 5G | Ilmailu- ja avaruustekniikka, energiajärjestelmät |
Hakemus | Suositeltu materiaali | Syy |
LED-valaistus | Al₂O₃ | Luotettava ja kustannustehokas lämmönpoisto. |
Sähköautojen tehomoduulit | AlN | Korkea lämmönjohtavuus ja sähköeristys. |
5G RF -järjestelmät | AlN | Vähähäviöinen tangentti ja vakaa korkeataajuusvaste. |
Ilmailu- ja avaruuselektroniikka | piikarbidi | Poikkeuksellinen lämpötilan ja tärinän kestävyys. |
Lääkinnälliset laitteet | Al₂O₃ tai AlN | Bioyhteensopivuus ja steriloinnin kestävyys. |
Uusiutuvan energian invertterit | AlN tai SiC | Kestää suuria virtoja ja vaihtelevia kuormia. |
Oikeaa substraattia valittaessa on otettava huomioon tekijät, kuten lämpökuormitus, jännitetaso, ympäristö ja mekaaninen rasitus. Useimmissa tapauksissa Al₂O₃ tarjoaa edullisen lähtökohdan, AlN tarjoaa huippuluokan lämpöominaisuuksia ja piikarbidi on varattu vaativimpiin käyttöympäristöihin.
Alustan valinta on vain puolet yhtälöstä – valmistusmenetelmä määrää lopullisen levyn suorituskyvyn.
Suoraan sidottu kupari (DBC): Ihanteellinen suurvirtaisille AlN- ja SiC-piirilevyille.
Suorapinnoitettu kupari (DPC): Mahdollistaa ohuiden, erittäin tarkkojen piirien valmistuksen keraamisella pinnoitteella.
Paksukalvotulostus: Soveltuu hybridipiireille Al₂O₃-alustalla.
Benlida Circuit tarjoaa edistyneiden DBC- ja DPC-valmistuskykyjensä avulla räätälöityjä keraamisia piirilevyratkaisuja eri toimialoille – tasapainottaen suorituskykyä, kustannuksia ja skaalautuvuutta.
Lue lisää Benlidan keraamisten piirilevyjen sivulta .
Ihanteellinen keraaminen alusta riippuu projektisi tehotiheydestä, ympäristöolosuhteista ja suorituskykyodotuksista.
Valitse Al₂O₃ kustannustehokkaisiin yleiskäyttöisiin ratkaisuihin.
Valitse AlN, kun vaaditaan erinomaista lämmönpoistoa ja vakautta.
Valitse piikarbidi (SiC) äärimmäisiin olosuhteisiin tai ilmailu- ja avaruuskäyttöön.
Valintasi riippumatta keraamiset piirilevyt edustavat elektroniikan seuraavan sukupolven luotettavuutta ja suorituskykyä – mahdollistaen turvallisemmat, tehokkaammat ja kompaktimmat mallit.
Benlida Circuit on edelleen keraamisten piirilevyjen valmistuksen johtaja ja tarjoaa räätälöityjä ratkaisuja, jotka yhdistävät materiaaliosaamisen edistyneeseen prosessiteknologiaan.